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本发明公开了一种锑基半导体单晶的制备方法，锑基半导体单晶具有独特的一维结构和显着的光电特性在光电领域中得到广泛关注和研究。然而高质量一维锑基半导体单晶报告较少。在本工作中，我们使用五氧化二锑乳液替代锑盐，通过水热法制备了高质量和低界面缺陷的一维锑基半导体单晶，避免了锑盐阴离子对晶体界面的自腐蚀，减少了晶体的界面缺陷并提高了晶体界面稳定性。实验证实了一维锑基半导体单晶表现出良好的光吸收性能。由于其低的晶体界面缺陷，一维锑基半导体单晶基探测器在弱光下具有较高的光响应度和比探测率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115287763A
(43)申请公布日2022.11.04
(21)申请号202210672023.1
(22)申请日2022.06.14
(71)申请人合肥工业大学
地址230009
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