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一种半导体结构及其制备方法.pdfVIP

一种半导体结构及其制备方法.pdf

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    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；多个阻变器件，位于所述衬底上，每个所述阻变器件包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述下电极内形成有一个凹槽，以形成为凹字形结构，所述阻变层覆盖所述凹槽的侧壁和底部，以及所述下电极的外表面，所述上电极覆盖所述阻变层的表面，并填充所述凹槽。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117440693A

    (43)申请公布日2024.01.23

    (21)申请号202311638521.5

    (22)申请日2023.11.30

    (71)申请人厦门半导体工业技术研发有限公司

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