原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种新型N柱超结结构横向扩散金属氧化物半导体，主要包括硅衬底、P类Drift浓度掺杂区、高浓度掺杂的P型区、源区、漂移区、栅极、漏区，通过借助其高耐压特性，调整漂移区的PN结的布局，降低导通电阻产生影响，达成穿通超结结构使PN间隔能实现完全耗尽得作用，与此同时，通过调整NDrift柱已经将其包围的高浓度掺杂的P型区的横向长度调节击穿电压，还通过调整NDrift柱的数量或者同时调整NDrift柱和将其包围的高浓度掺杂的P型区的浓度来调整击穿电压和降低导通电阻，使得漂移区的电荷在雪崩击穿前完全
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438473A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311664273.1
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心
地址
文档评论（0）