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一维纳米结构电子输运性质的理论研究的开题报告

一、选题背景

随着纳米技术的发展，人们对纳米材料的研究越来越深入，研究各种纳米结构的电子输运性质也成为了重要的课题之一。纳米材料的电子输运具有明显的量子效应，如量子隧穿、量子振荡等，从而导致其电子输运性质与宏观材料存在较大差异。特别是，一维纳米结构的电子输运性质更具有良好的可控性和独特性，因此受到了广泛的研究关注。本课题旨在通过理论计算，探索一维纳米结构电子输运性质的规律和特征。

二、研究目的

本研究旨在通过理论计算，深入分析一维纳米结构的电子输运性质，寻找其规律和特征，为材料设计和应用提供理论依据和指导。

三、研究内容和方法

（一）研究内容

1.系统介绍一维纳米结构的物理特性和电子输运机理。

2.构建一维纳米结构的基本模型，包括单壁纳米管、纳米线等。

3.运用密度泛函理论（DFT）计算一维纳米结构的电子结构和输运性质。

4.分析不同形状和尺寸的一维纳米结构的电子输运性质的变化规律，探讨其与外部条件的相互作用。

（二）研究方法

本研究采用的主要方法为计算机模拟和理论分析。具体地，采用VASP软件包和QuantumESPRESSO软件包计算一维纳米结构的电子结构和输运性质，通过分析计算结果得出相关结论和规律，并将其解释为基本的物理机制。

四、研究意义

本研究可以揭示一维纳米结构电子输运的特征和规律，为制备具有特定输运性质的纳米材料提供理论依据和指导。同时，也为开发新型的一维纳米电子器件提供基础研究支持。

五、研究进度安排

第一年：

1.综述并介绍纳米结构的电子输运机理。

2.完成一维纳米结构电子结构计算模型的构建和DFT计算方法的学习。

3.初步探讨一维纳米结构的电子输运特性。

第二年：

1.完成一维纳米结构电子输运特性的详细计算，并进行分析。

2.系统探讨不同形状和尺寸的一维纳米结构的电子输运性质的变化规律。

第三年：

1.得出一维纳米结构电子输运的规律和特征。

2.撰写毕业论文并进行答辩。

六、预期成果

1.撰写一份理论研究报告，介绍一维纳米结构电子输运的规律和特征。

2.发表至少一篇高水平SCI论文。

3.对纳米材料电子输运领域的研究做出一定的理论贡献。