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2024-01-24 发布于四川
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光电探测器的制备方法.pdf

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本申请提供一种光电探测器的制备方法。所述光电探测器的制备方法包括：提供衬底；衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于衬底本体一侧的绝缘层；衬底本体设有朝向绝缘层的具有第一导电类型的第一注入区及具有第二导电类型的第二注入区，第一注入区的掺杂浓度及第二注入区的掺杂浓度均大于衬底本体的掺杂浓度；在绝缘层上形成暴露第一注入区的第一凹槽和暴露所述第二注入区的第二凹槽；在所述第一凹槽和/或所述第二凹槽的底部形成硅晶体膜层；在所述硅晶体膜层上形成金属膜层，采用快速热退火工艺使所述硅晶体膜层与所述金属膜层反应生

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115101629A

(43)申请公布日2022.09.23

(21)申请号202210855331.8

(22)申请日2022.07.19

(71)申请人杭州海康威视数字技术股份有限公

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