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使用晶片亮度来监测激光退火工艺和激光退火工具.pdfVIP

使用晶片亮度来监测激光退火工艺和激光退火工具.pdf

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    提供了一种用于监测半导体晶片的激光退火的方法。在退火后，捕获晶片的许多区域的图像。这些区域的表面亮度由计算机进行测量，并且确定这些表面亮度测量的统计量，诸如它们的平均值和它们的标准差。使用退火的晶片的表面亮度与电阻之间的相关性，表面亮度统计量可以用来确定退火工艺是否产生了符合最终用户规格的晶片。在制造以及定期或之后维护两者期间，表面亮度统计量还可以用于监测退火工具。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN112119486A

    (43)申请公布日2020.12.22

    (21)申请号201980032013.8(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

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