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核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法.pdfVIP

核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种核壳式结构GaN结型场效应管器件及其制备方法。该方法首先利用MBE/MOCVD技术在蓝宝石衬底生长第二重掺n‑GaN层，作为后续的漏端欧姆接触层，再继续外延核壳式纳米柱状p‑n结，内层n‑GaN为沟道层，最后再外延一层重掺的n‑GaN作为源端欧姆接触层。器件结构生长完后再利用刻蚀和电极蒸发工艺形成源漏极和栅极，得到GaN‑JFET器件；核壳式p‑n结结构因沟道被环形包夹，其内部电场分布更均匀，栅对沟道具有更强的控制能力。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111415996A

    (43)申请公布日

    2020.07.14

    (21)申请号20201

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