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组合掩膜版、半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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  • 2024-01-24 发布于四川
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组合掩膜版、半导体器件及其形成方法.pdf

    本发明提供了一种组合掩膜版、半导体器件及其形成方法。第一掩膜版的第一线条和第二掩膜版的第二线条界定出内围阵列在由第三掩膜版的掩蔽图形所界定出的阵列区的区域范围内，并利用第三掩膜版的掩蔽图形和从内围阵列延伸出的第二线条进一步界定出边缘分格，如此即能够准确的界定出分格阵列，而不会额外界定出不希望界定出的分格。因此，在利用该组合掩膜版形成半导体器件时，相应的能够准确的制备出通孔阵列，而不会额外制备出不希望形成的孔。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN108519725A

    (43)申请公布日

    2018.09.11

    (21)申请号20181

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