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一种HEMT与LED的集成器件及其制备方法.pdfVIP

一种HEMT与LED的集成器件及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种HEMT与LED的集成器件及其制备方法，该集成器件包括衬底以及设置于衬底一侧的双HEMT叠层结构和LED叠层结构；其中，LED叠层结构包括有源层，双HEMT叠层结构包括二维电子气层与二维空穴气层。二维电子气层复用为LED叠层结构的至少部分电子传输层，二维空穴气层复用为LED叠层结构的至少部分空穴传输层。利用二维电子气层为LED叠层结构提供较高浓度的电子，提升有源层中电子的注入效率。利用二维空穴气层为LED叠层结构提供较大浓度的空穴，提升有源层中空穴的注入效率，使LED叠层结构在小

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117438425A

    (43)申请公布日2024.01.23

    (21)申请号202311691296.1

    (22)申请日2023.12.11

    (71)申请人江苏第三代半导体研究院有限公司

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