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本发明公开了一种半导体级多晶硅大口径厚壁EP管道洁净焊接控制方法，包括对焊接环境洁净度控制和对焊接工艺的控制，对焊接环境洁净度控制包括：一是焊接、物料存储均在10000级以上无尘环境即洁净棚中进行；二是预制焊接厂房保持密封性；三是设置通风和排气系统；对焊接工艺的控制包括：一是对管道切割下料控制；二是对管道组对过程控制；三是对焊接过程控制；焊接完成后对焊接产品进行检验至合格满足设计要求。本发明通过材料的选用、机具设备、施焊条件、施焊工艺过程等有效控制管道洁净度，确保了工程质量，生产出高纯度产品。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117428295A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311473663.0B23K101/06(2006.01)
(22)申请日2023.11
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