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本发明公开一种高压栅驱动电路，本发明涉及集成电路技术领域，用于解决现有技术中无法实现对dV/dt噪声免疫，导致在高频高压高dV/dt噪声环境下无法正常工作的问题。包括：逻辑控制模块、窄脉冲发生器模块、高压侧通道和低压侧通道；高压侧通至少包括交叉耦合高压电平位移电路、高边欠压保护模块、RS触发器模块、滤波模块和高边驱动模块；交叉耦合高压电平位移电路至少包括两个横向双扩散的LDMOS管、齐纳二极管、NMOS管以及多个负载电阻；NMOS管与部分负载电阻构成交叉耦合结构；两个横向双扩散的LDMOS管由窄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117439592A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311397324.9
(22)申请日2023.10.25
(71)申请人中国科学院微电子
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