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铌酸锂微纳结构、用于形成其的干法刻蚀方法及其应用.pdf

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本发明公开了一种铌酸锂微纳结构、用于形成其的干法刻蚀方法及其应用。所述干法刻蚀方法包括:提供铌酸锂基体;在其表面形成图案化掩模;利用磁中性环路放电刻蚀方法对铌酸锂基体进行刻蚀处理,形成微纳结构;其中,进行刻蚀处理时,维持铌酸锂基体的温度不低于400℃,且采用间歇循环刻蚀的方式进行。本发明利用磁中性环路放电刻蚀方法在高温下对铌酸锂进行间歇性刻蚀,加快垂直方向的刻蚀速率,且反应的过程中所产生的生成物会受高温影响迅速挥发极大地提高了微纳结构的刻蚀垂直度;能够直接使用光刻胶作为掩模制备具有高深宽比的铌酸

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117446747A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311665381.0

(22)申请日2023.12.06

(71)申请人中国科学院苏州纳

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