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- 2024-01-27 发布于四川
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本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，该半导体器件结构包括衬底、体区、沟槽、掺杂区、栅极结构、源区、层间介质层、接触孔及上层导电层，其中，体区位于衬底中；沟槽设置于体区中且开口向上；掺杂区位于体区中且距离沟槽内壁预设距离；栅极结构填充沟槽；源区至少位于栅极结构一侧的体区的上表层，源区与掺杂区位于栅极结构同一侧的体区中；层间介质层位于体区上方；接触孔贯穿层间介质层及源区且距离栅极结构预设距离，接触孔在水平方向的投影与掺杂区在水平方向的投影相交，上层导电层填充接触孔。本发明通过于体区中形成距离栅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457709A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202210854835.8H01L21/336(2006.01)
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