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本发明提供一种碳化硅MOS器件的制造方法，其包括：在碳化硅衬底上制作有源区及第二导电类型重掺区；依次淀积保护层及掩膜，在保护层及掩膜上光刻和刻蚀定义与第一导电类型发射区相对应的窗口，注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型发射区；对掩膜进行各向同性刻蚀，扩大窗口在掩膜上的长度，以露出部分保护层；其中基于第二导电类型深阱区的窗口长度与第一导电类型发射区的窗口长度的差值确定对掩膜进行各向同性刻蚀的刻蚀厚度；对裸露的保护层进行各向异性刻蚀，去除裸露的保护层，注入第二导电类型离子，以形成第二导电类型深阱
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457493A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311801896.9
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人深圳腾睿微电子科
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