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一种半导体激光器芯片及高功率半导体激光器叠阵模块.pdfVIP

一种半导体激光器芯片及高功率半导体激光器叠阵模块.pdf

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    本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种半导体激光芯片及高功率半导体激光器叠阵模块。本发明的半导体激光芯片，包括由下至上依次堆叠设置的衬底层、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，上限制层及欧姆接触层上均设有布拉格光栅结构。本发明的高功率半导体激光器叠阵模块，包括金属热沉以及上述的半导体激光芯片，多个金属热沉与多个半导体激光芯片依次交替堆叠。其能够解决高功率半导体激光器难以同时满足稳定性及集成度需求的技术问题，通过内部光栅结构来实现波长锁定，无需使用外部光学元件

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117458263A

    (43)申请公布日2024.01.26

    (21)申请号202311477061.2

    (22)申请日2023.11.07

    (71)申请人华中光电技术研究所（中国船舶集

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