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本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括：包括衬底及于衬底的结构层及复合P型接触层，复合P型接触层包括依次设置的InxGa1‑xN层、掺杂Mg的第一P型接触层、掺杂Mg的第二P型接触层及掺杂Mg的第三P型接触层，InxGa1‑xN层上开设若干个凹孔，第一P型接触层为InyGa1‑yN层，第二P型接触层为二维AlN层，第三P型接触层为BjInkGa1‑j‑kN层。通过设置凹孔，形成粗糙结构，降低对光的吸收；InyGa1‑yN层中In能有效降低Mg的激活能，提高活化Mg浓度，降低接触电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457824A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311787210.5
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人江
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