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三维存储装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2024-01-27 发布于四川
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三维存储装置及其形成方法.pdf

    在某些方面，一种三维(3D)存储装置包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交错的导电层和电介质层并且在平面图中具有核心阵列区域和阶梯区域；一个或多个沟道结构，均延伸穿过堆叠结构的核心阵列区域；以及一个或多个接触结构，均延伸穿过堆叠结构，其中一个或多个接触结构中的每一个包括头部部分和主体部分，并且相应接触结构的头部部分的宽度大于相应接触结构的主体部分的宽度。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117457577A

    (43)申请公布日2024.01.26

    (21)申请号202210904292.6H10B41/20(2023.01)

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