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本发明实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构和布图方法,布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和两个接触孔；第一沟槽栅与第二沟槽栅沿第二方向相互平行设置，第三沟槽栅为S型，置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；一个接触孔置于第三沟槽栅与第二沟槽栅之间，另一个接触孔置于第三沟槽栅与第一沟槽栅之间；其中，接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；每
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN108899318A
(43)申请公布日
2018.11.27
(21)申请号20181
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