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本发明提供了一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以蓝宝石衬底生长的p‑GaN层作为基底，经超声清洗以去除表面有机污染物，基于高温下GaN分解的性质，在含有氢气和氮气的混合气中，通过热分解后得到一层多孔GaN，之后在含有氧气和惰性气体的混合气中进行加热氧化，最终得到具有比表面积大的多孔氧化镓/氮化镓异质结，本发明提供的制备方法，操作过程简单，成本低，并且大幅提高了制备的所述多孔氧化镓/氮化镓异质结比表面积，使其成为制备高电子迁移率晶体管的良好备选材料。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457497A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311769979.4H01L29/267(2006.01)
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