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本发明提供了一种有机光电突触晶体管阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，在洗烘后的基底上制备栅电极；步骤S2，在栅电极上制备绝缘层；步骤S3，在绝缘层上旋涂光刻胶，得到第一光刻胶层，进行光刻得到多个源漏电极图案，通过真空蒸镀将电极材料沉积在绝缘层上，剥离光刻胶，得到多个共面的源漏电极形成源漏电极阵列；步骤S4，在带有源漏电极阵列的绝缘层上旋涂光刻胶，得到第二光刻胶层，进行光刻得到图案模板，基于图案模板旋涂有机聚合物半导体，剥离光刻胶后，得到图案化的有机聚合物半导体作为有源活性层，制备完成后，得
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117460377A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311173821.0
(22)申请日2023.09.12
(71)申请人同济大学
地址200092
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