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本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：首先在衬底的一侧形成第一区域和第二区域，且第一区域和第二区域内沉积有具有栅极沟槽的中间层，然后在中间层远离衬底的一侧及栅极沟槽的内壁上沉积栅极氧化层，接着在第二区域的栅极氧化层远离衬底的一侧沉积层间隔离层，并进行掺氮处理，最后去除第二区域的层间隔离层和栅极氧化层。相比于现有技术中多次循环进行双栅氧工艺去除栅极氧化层的方法；本发明无需进行双栅氧工艺即可去除栅极氧化层，避免了多次进行双栅氧工艺造成的栅极沟槽增大、鳍部过高的问题，提高了半导体器件的性能。本发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111785687A
(43)申请公布日2020.10.16
(21)申请号201910267999.9
(22)申请日2019.04.03
(71)申请人中芯
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