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本发明涉及一种低电阻材料的成膜方法，其涉及利用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)在半导体基板上成膜的低电阻材料的成膜方法，包括以下阶段：a)在1Pa至40Pa的压力以及低温下，利用磁控溅射在SiO2晶圆上层压阻挡层；b)在层压所述阻挡层后，不施加DC电源，而是在Ar气体氛围下施加RF偏压(RFbias)来最阻挡层的表面进行改性；以及c)利用磁控溅射在阻挡层上展压低电阻材料，所述低电阻材料是从由钨(W)、钌(Ru)、钼(Mo)、钴(Co)及铑(Rh)组成的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117461123A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202280041318.7(74)专利代理机构北京易光知识产权代理有限
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