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本发明提供一种硅单晶少子寿命的检测方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，选取P‑或N‑型硅单晶，将硅单晶切片，得到原始硅片，将原始硅片放入碱性腐蚀液中，在预定温度下浸泡预定时间，以生成原硅酸，得到腐蚀硅片，以使硅片表面状态得到调控；将腐蚀硅片进行清洗、并进行干燥得到清洗硅片；将清洗硅片进行钝化，进行μPCD法测试，原始硅片在氢氧化钠腐蚀液中，硅原子与氢氧根结合，硅片上未配对的电子可以与氢氧根结合变成硅氧键，硅氧键断裂后与其他原子形成共价键，最终形成原硅酸，使硅片表面状态得到调控，在该表面状态在再进行钝化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457523A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311500431.X
(22)申请日2023.11.13
(71)申请人宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
地
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