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本公开提供了一种发光二极管及其制作方法,所述发光二极管包括:依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,以及PV钝化层、第一电极、第二电极、第一电极焊盘和第二电极焊盘;所述第一电极位于所述第一半导体层表面,所述第二电极位于所述第二半导体层表面,所述第一电极和所述第二电极包括Pt层,所述Pt层包括依次层叠的第一Pt层、第二Pt层、第三Pt层和第四Pt层,所述第一Pt层、所述第二Pt层、所述第三Pt层和所述第四Pt层的致密性依次降低;所述PV层覆盖所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第一电极和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117457828A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311412200.3
(22)申请日2023.10.27
(71)申请人华灿光电(广东)有限公司
地址
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