一种三步分段烧结工艺制备IGZO靶材的方法.pdfVIP

一种三步分段烧结工艺制备IGZO靶材的方法.pdf

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本发明公开一种三步分段烧结工艺制备IGZO靶材的方法,按以下步骤进行:将IGZO生坯放入烧结炉中,在负压以及空气气氛下,由室温以速率Ⅰ升至第一烧结温度500~700℃,保温2~6h进行脱脂;将炉内的温度再以速率Ⅰ升至700~800℃后开始充入氧气,控制炉内的气压;在氧气气氛下,将炉内的温度以速率Ⅱ升至第二烧结温度1350~1550℃,保温1~4h;将炉内的温度以速率Ⅲ降至第三烧结温度1300~1380℃,保温4~6h,在此段保温时间的中点通入氩气、调整氧气流量来调节炉内氧体积浓度,氧气和氩气流量

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117447188A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311339456.6C23C14/34(2006.01)

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