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- 2024-01-27 发布于四川
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本申请实施例公开了一种铟镓锌氧化物薄膜的制备方法,包括:准备衬底和铟镓锌氧化物靶材置于腔室内;在所述腔室内通过磁控溅射法在衬底上形成所述铟镓锌氧化物的薄膜,所述薄膜的厚度范围为0.1纳米‑100纳米,所述薄膜的沉积速率范围为0.1埃/秒‑90埃/秒;其中,通过直流和射频共溅射工艺形成所述薄膜,或者通过直流脉冲溅射工艺形成所述薄膜。该实施例方案使得获得的铟镓锌氧化物薄膜稳定性好、均一性好,且该方案具有良好的可重复性,利于实现规模化生产,有效降低溅射粒子对衬底表面造成的损伤。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117448743A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202210955591.2
(22)申请日2022.08.10
(71)申请人北京超弦存储器研
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