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2024-01-31 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，叠层结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括第一牺牲层和位于第一牺牲层上的沟道层，基底上还形成有横跨叠层结构的伪栅结构，伪栅结构覆盖叠层结构的部分侧壁和部分顶部，且露出叠层结构的两端；在叠层结构侧壁，沿垂直于伪栅结构侧壁方向，在第一牺牲层中形成内侧墙；在伪栅结构两侧形成与沟道层端部相接触的源漏掺杂层，源漏掺杂层还与内侧墙相接触，源漏掺杂层与第一牺牲层具有刻蚀选择比；去除伪栅结构和第一牺牲层，形成露出沟道层的栅极开口；在栅极开口

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117476461A

(43)申请公布日2024.01.30

(21)申请号202210859756.6

(22)申请日2022.07.21

(71)申请人中芯国际集成电路

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