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压力敏感芯片中硅岛的加工方法、压力敏感芯片及其制作方法和压力传感器.pdfVIP

压力敏感芯片中硅岛的加工方法、压力敏感芯片及其制作方法和压力传感器.pdf

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    本发明公开了一种压力敏感芯片中硅岛的加工方法、压力敏感芯片及其制作方法和压力传感器，该加工方法包括依次对硅片进行清洗、背面制备SiO2层、在硅片内形成回形凹槽、对回形凹槽内的口形区域进行刻蚀，形成硅岛。压力敏感芯片的制作方法包括硅岛的加工工序。本发明中，根据硅岛高度的设定值，先在硅片背面沉积合适厚度的SiO2层，然后在光刻胶的保护作用下，对口形区域内的SiO2层和硅进行刻蚀，获得高度和质量可控的硅岛，有利于降低硅岛高度和重量，提高抗力冲击能力，降低加速度敏感性，提高压力测量的稳定性，由此获得加速

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117466243A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202311440230.5B81B3/00(2006.01)

    (22)申请日2023.10.3

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