晶圆标记方法及氮化物半导体器件的制造方法以及氮化物半导体基板.pdfVIP

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  • 2024-01-31 发布于四川
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晶圆标记方法及氮化物半导体器件的制造方法以及氮化物半导体基板.pdf

本发明是一种晶圆标记方法,其使用激光对氮化物半导体基板的缺陷部分施加激光标记,所述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体层在单晶硅基板上外延生长而成的,将相当于GaN的带隙能量的波长即365nm的±10%以内的波长的激光照射至所述缺陷部分,从而对所述GaN层的表面及所述单晶硅基板表面同时进行标记。由此,提供一种激光标记方法,该方法在对氮化物半导体基板中的缺陷部分进行激光标记时,能够对GaN层表面及单晶硅基板表面同时进行标记,其中,上述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117480593A

(43)申请公布日2024.01.30

(21)申请号202280040388.0(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限

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