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- 2024-01-31 发布于四川
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本发明是一种晶圆标记方法,其使用激光对氮化物半导体基板的缺陷部分施加激光标记,所述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体层在单晶硅基板上外延生长而成的,将相当于GaN的带隙能量的波长即365nm的±10%以内的波长的激光照射至所述缺陷部分,从而对所述GaN层的表面及所述单晶硅基板表面同时进行标记。由此,提供一种激光标记方法,该方法在对氮化物半导体基板中的缺陷部分进行激光标记时,能够对GaN层表面及单晶硅基板表面同时进行标记,其中,上述氮化物半导体基板是使至少包含GaN层的氮化物半导体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117480593A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202280040388.0(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限
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