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一种半导体器件及半导体器件的制作方法.pdfVIP

一种半导体器件及半导体器件的制作方法.pdf

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    本发明实施例公开一种半导体器件及半导体器件的制作方法。该半导体器件包括衬底；设置于衬底一侧的缓冲层；设置于缓冲层远离衬底一侧的电子传输层；设置于电子传输层远离衬底一侧的半导体掺杂层；设置于半导体掺杂层远离衬底一侧的栅极；设置于栅极远离衬底一侧的钝化层，钝化层用于降低表面电荷密度；钝化层包括至少一个夹层结构，夹层结构至少部分覆盖电子传输层；夹层结构用于抑制表面电荷对二维电子气沟道的散射。本实施例提供的技术方案解决了半导体器件的电子传输层远离衬底的表面电荷密度较高，容易存在表面电荷对二维电子气沟道的

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117476761A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202311576217.2

    (22)申请日2023.11.23

    (71)申请人英诺赛科（珠海）科技有限公司

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