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一种半导体结构及其制作方法.pdfVIP

一种半导体结构及其制作方法.pdf

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    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底，基底具有有源区，有源区包括沿第一方向排布的第一掺杂区、沟道区及第二掺杂区；栅极，栅极包括第一导电部及至少两个第二导电部，第二导电部与第一导电部接触连接，第一导电部位于基底上表面上方，第二导电部位于基底上表面下方，且相邻的第二导电部沿第一方向间隔设置，沟道区环绕第二导电部的侧壁及底面。可以增加半导体结构的沟道长度。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117476750A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202210872127.7

    (22)申请日2022.07.22

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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