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2024-01-31 发布于四川
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本发明涉及半导体制造领域，提供了硅基光电探测器及制备方法，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围，外延层可以是硅、锗或硅锗合金的一种或者叠层，或根据需要掺入碳、锡、铅等杂质；所述第二氧化硅层沉积在外延层之上；所述金属电极层暴露于第二氧化硅层表面，并与外延层和衬底连接；所述金属层沉积在衬底下表面。本发明可以有效反射未被吸收层完全吸收的入射光加以回收利用，能够增加探

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117476800A

(43)申请公布日2024.01.30

(21)申请号202311813343.5

(22)申请日2023.12.27

(71)申请人上海铭锟半导体有

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