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2024-01-31 发布于四川
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本申请涉及一种半导体制造方法及半导体器件，其中，半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一第一晶圆；在第一晶圆中形成晶体管；提供一第二晶圆，第二晶圆包括第一表面和第二表面；在第二晶圆的第一表面上形成硬掩模层；图形化硬掩模层；以图形化的硬掩模层作为遮挡刻蚀第二晶圆的至少一部分，形成由第一表面向下打开的第一孔洞；将第二晶圆的图形化的硬掩模层与第一晶圆的正面键合，键合后第一孔洞被第一晶圆所封闭；对第一晶圆的背面进行减薄；对第二晶圆的第二表面侧进行减薄且打开第一孔洞。该半导体制造方法可以在封装过程中将晶圆减

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117476457A

(43)申请公布日2024.01.30

(21)申请号202311831195.XH01L21/50(2006.01)

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