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提供了一种三维半导体存储器装置以及包括其的电子系统。该存储器装置包括:基板;外围电路结构,其位于基板上;以及单元阵列结构,其位于外围电路结构上并且包括单元阵列区域和单元阵列接触区域。单元阵列结构包括:包括交替地层叠的层间绝缘层和栅电极的层叠结构、顺序地层叠在层叠结构上的第一源极导电图案、第二源极导电图案和第三源极导电图案。第一源极导电图案至第三源极导电图案包括彼此不同的材料。包括穿过层叠结构延伸到第一源极导电图案的下部中的垂直沟道结构。第一源极导电图案至第三源极导电图案从单元阵列区域延伸到单元阵
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117479539A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202310526060.6
(22)申请日2023.05.11
(30)优先权数据
10-2022-0094820
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