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一种蚀刻厚度均匀的半导体电极.pdfVIP

一种蚀刻厚度均匀的半导体电极.pdf

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    本发明公开了一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出，最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。本发明中电极作为等离子蚀刻的核心部件，通过在电极对应线圈的部位设置凹陷曲面，降低该部位等离子蚀刻速率，从而保证各部位蚀刻的一致性，也就是在电极表面设置与晶圆环状蚀刻形态对应相反的形态，可以稳定的提高蚀刻速率，保证蚀刻厚度均匀，提高生产效率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117476426A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202310709140.5

    (22)申请日2023.06.14

    (71)申请人安徽四象半导体材料科技有限公司

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