一种可避免爬铟的半导体激光器芯片封装方法.pdfVIP

一种可避免爬铟的半导体激光器芯片封装方法.pdf

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本发明涉及一种可避免爬铟的半导体激光器芯片封装方法,包括如下步骤:1)在热沉的表面制备焊料层;2)在焊料层的表面覆盖高温绝缘粘膜,平滑面朝下面向焊料层,粘性面向上;3)将LD芯片与高温绝缘粘膜的粘性面贴合,并且使得LD芯片需要与焊料层接触的区域露出;4)将步骤3)得到的贴合高温绝缘粘膜的LD芯片与焊料层进行贴片封装,完成固晶;5)将固有LD芯片的热沉与热沉进行组装,完成COS固晶;6)焊线组装,完成封装。本专利提供的封装方法,基于精度不够的常规的老旧设备,是在LD芯片的侧面粘贴高温绝缘粘膜,对L

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117477345A

(43)申请公布日2024.01.30

(21)申请号202210859416.3

(22)申请日2022.07.20

(71)申请人潍坊华光光电子有限公司

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