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一种存储器及其制造方法,涉及半导体技术领域,存储器包括行列分布的多个晶体管,还包括:第一半导体衬底;位线层,所述位线层设置在所述第一半导体衬底的一侧,所述位线层包括多条位线,各所述位线沿列方向延伸且在行方向间隔排列;多个半导体柱,多个所述半导体柱设置在所述位线层远离所述第一半导体衬底的一侧,并且多个所述半导体柱沿行方向和列方向间隔排列;所述多个半导体柱均包含相向设置的第一端面和第二端面,所述第一端面靠近所述第一半导体衬底并与所述位线连接。位线置于半导体柱顶端避免高温工艺过程对位线造成影响。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476739A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202211193788.3H10B61/00(2023.01)
(22)申请日2022.09.
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