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一种应用于介入治疗的低磁场正交射频线圈结构.pdfVIP

一种应用于介入治疗的低磁场正交射频线圈结构.pdf

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    本发明公开了一种应用于介入治疗的低磁场正交射频线圈结构，包括支撑框架和线圈，所述支撑框架为圆筒形框架，由无磁绝缘材料制成，其筒面上具有若干传输介入治疗设备的通口，所述线圈避开所述通口布置，所述线圈包括至少两赫姆霍兹线圈和至少一蝶形线圈，所述两个赫姆霍兹线圈沿筒体轴向平行布置，所述一蝶形线圈包括两路鞍形结构，这两路鞍形结构在筒体筒面上关于筒体中心线对称布置并且在筒体顶面呈8字型交汇。本发明采用赫姆霍兹线圈与蝶形线圈正交，并在支撑框架上开设通口，该通口可为介入治疗提供无障碍治疗通道。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117471382A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202311712328.1

    (22)申请日2023.12.13

    (71)申请人安徽福晴医疗装备有限公司

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