一种SiC功率器件的立体封装方法.pdfVIP

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本发明涉及一种SiC功率器件的立体封装方法,包括如下步骤:准备引线框架、芯片和数条铜带;将SiC芯片贴装在导电平面的端面上,并使得SiC芯片的栅极位于凹槽内,SiC芯片的栅极通过第一铜带引出;SiC芯片的源极通过引出线引出;引线框架的外部设置有接线柱单元,通过第二铜带连接SiC芯片的电极与接线柱单元;通过导热界面材料将散热器连接到导电平面上;通过塑封料包裹引线框架、芯片和接线柱。通过设置引线框架,不仅能够替代DBC基板,避免DBC基板带来的热阻以及DBC与底板连接引入的寄生电感,还能够代替键合线

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117476480A

(43)申请公布日2024.01.30

(21)申请号202311550731.9H01L23/36(2006.01)

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