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本发明涉及氮化硅陶瓷基片成型方法技术领域，且公开了一种大尺寸规格的氮化硅陶瓷基片成型方法，本发明在需要对氮化硅陶瓷基片进行生产时，依次通过原料制备、干压成型、烧结、多线切割、打磨和清洗检测，制备原料进行平压成型后烧结，再采用多线切割工艺能够有效减少切割中产生的热变形，避免产生大的加工应力，减少陶瓷基板表面的损伤层，在保证表面粗糙度的前提下，微观上进一步消除了应力，从而减少陶瓷基板的翘曲，保证陶瓷基板良品率，单次可加工产品多，生产效率高，切割后再进行细致的打磨，保障产品精度，最后通过清洗检测，以确
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117464803A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311574213.0B28B17/00(2006.01)
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