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一种半导体沟槽型场效应管器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明为同时兼顾器件尺寸和栅极电阻的问题，提出一种具有H型沟槽结构的屏蔽栅沟槽型场效应管结构，H型沟槽网络结构包括有交错排列第一类沟槽和第二类沟槽，第一类沟槽内设有第一栅电极和屏蔽栅电极，第二类沟槽内设有第二栅电极，所述的第二栅电极连接到相邻的第一栅电极，本发明提出技术方案在减少器件尺寸的同时进一步减少器件的沟道电阻，并能减少器件的栅极电阻，在高频应用中实现更均匀的电流分布，提升器件的开关频率和可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476772A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311660721.0
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人安建科技有限公司
地址中国香港
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