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一种MOSFET器件的阈值电压调整方法.pdf

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    本发明涉及数据处理技术领域，提出了一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，包括：采集MOSFET器件在工作过程中的实时温度和实时电压阈值，确定标记的温度‑电压阈值坐标系和点；获取聚类簇，确定点的离散程度；确定点的权值，划分大簇和小簇，根据大簇和小簇确定每个点的异常离群因子，以点的权值对异常离群因子进行加权，获取点的异常评价；根据点的异常评价获取异常评价序列，对异常评价序列进行划分，获取第一异常评价序列，根据第一异常评价序列确定异常阈值电压，对异常阈值电压采取调整措施，实现MOSFET器件的阈值电

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117472141A

    (43)申请公布日2024.01.30

    (21)申请号202311809894.4

    (22)申请日2023.12.27

    (71)申请人深圳市冠禹半导体有限公司

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