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本发明提供一种磁性电子器件的制作方法及磁性电子器件，属于磁性电子器件技术领域。该制作方法包括：在半导体衬底上，沉积该磁性电子器件的膜堆；制作磁隧道结MTJ；沉积介质层；在磁隧道结MTJ的介质层的表面制作光阻层，对光阻层进行微缩，使光阻层的尺寸小于磁隧道结MTJ的尺寸；以微缩后的光阻层作为掩膜，对介质层和磁隧道结MTJ进行刻蚀，使刻蚀后的介质层停止在磁隧道结MTJ的预设位置，其中，介质层被刻蚀的速度大于磁隧道结MTJ被刻蚀的速度；在露出的磁隧道结MTJ及刻蚀后的介质层上，沉积通电的顶电极层。本发明
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117500362A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311491246.9
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人致真存储（北京）科技有限公司
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