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本申请公开了一种Micro‑LED芯片结构，属于半导体技术领域，该芯片结构包括从下到上依次叠置的衬底、N型半导体层、P‑N结层和P型半导体层，还包括P电极和N电极；P电极设置在P型半导体层的其中一个侧面上，N电极设置在N型半导体层远离P电极的侧面上，在封装接线时，可以避免导线经过芯片结构的出光面，从而提高光照效果。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497665A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311496964.5
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人季华实验室
地址528200
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