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本发明公开了一种基于可选区域晶界扩散的R‑T‑Ga‑B稀土永磁体及其制备方法，在钕铁硼磁体基体的扩散表面选区涂覆扩散源，在扩散表面的边角区，涂覆扩散源，在非边角区不涂覆扩散源，扩散源为重稀土和金属Ga的混合干粉，然后进行扩散处理，得到基于可选区域晶界扩散的R‑T‑Ga‑B稀土永磁体。本发明利用磁体的余热熔化扩散源中的Ga，粘合扩散源；遮挡层可以遮挡非边角区，并进行隔热，防止遮挡层上的粉末粘合，利于回收。本发明使用干粉喷涂，不添加有机粘合剂，减少了C等杂质的引入，抑制了磁体表层性能和微结构的劣化。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497276A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311379859.3
(22)申请日2023.10.24
(71)申请人杭州电子科技大学
地址3100
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