一种在氢氧化镍纳米片上生长钴掺杂硫化钒的制备方法.pdfVIP

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2024-02-03 发布于四川
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一种在氢氧化镍纳米片上生长钴掺杂硫化钒的制备方法.pdf

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本发明公开了一种在氢氧化镍纳米片上生长钴掺杂硫化钒的制备方法，包括以下步骤：(1)将镍盐、尿素和氟化铵溶解在水中，搅拌形成溶液，将基底材料浸入其中，然后进行水热反应，取出生长氢氧化镍的基底材料，冲洗，干燥；(2)将钒源、钴源和硫源加入水中，调节pH，搅拌得到均匀溶液；(3)取步骤(1)中获得的生长氢氧化镍的基底材料加入到步骤(2)的溶液中，然后进行水热反应，取出后冲洗，干燥保存。本发明通过钴掺杂硫化钒生长在氢氧化镍的表面，在水热反应的过程中，氢氧化镍前驱体会与硫离子发生反应产生硫化镍，与此同时钴

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117488355A

(43)申请公布日2024.02.02

(21)申请号202311465297.4B82Y30/00(2011.01)

(22)申请日2023.11.

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