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2024-02-03 发布于四川
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一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构.pdf

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本发明公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底，衬底的上表面上开设有交替平行排列的至少一条有源沟槽和至少两条虚拟沟槽；衬底上表面的一端设有栅极总线多晶硅；衬底上表面上设有多晶硅桥；介质层覆盖于衬底的整个上表面以及栅极总线多晶硅和多晶硅桥的上表面；多晶硅桥上表面的介质层内设有接触窗口；接触窗口远离栅极总线多晶硅的一端与虚拟沟槽靠近栅极总线多晶硅的一端之间的距离L20；由于多晶硅桥上表面较平整，使得在其上表面的介质层内刻蚀接触窗口时不会受到凹凸不平的虚拟沟槽多晶硅的影响，能够刻蚀出完整

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111916495A

(43)申请公布日2020.11.10

(21)申请号202010557333.X

(22)申请日2020.06.18

(71)申请人南瑞联研半导体有限责任公司

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