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一种有效降低氧化钼电极材料体积膨胀率的制备方法及其产品和应用.pdfVIP

一种有效降低氧化钼电极材料体积膨胀率的制备方法及其产品和应用.pdf

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    本发明提供了一种有效降低氧化钼电极材料体积膨胀率的制备方法及其产品和应用。该制备方法将传统的一步碳热还原法进行改进，通过控制前驱物三氧化钼和介孔碳材料的比例，高温下热还原介孔碳材料CMK‑3与三氧化钼反应，得到碳化钼/二氧化钼复合的纳米管材料。本发明通过加入介孔碳材料CMK‑3实现了材料的改性，最终能够得到的碳化钼能有效降低二氧化钼的体积膨胀率，从而大大提高二氧化钼的倍率性能和循环性能。与现有的技术相比，本发明合成方法操作简单，制备成本低，适合于规模化的生产。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117497688A

    (43)申请公布日2024.02.02

    (21)申请号202311495627.4H01M10/0525(2010.01)

    (22)申请日2023.1

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