磁性电子器件的制作方法及磁性电子器件.pdfVIP

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2024-02-03 发布于四川
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磁性电子器件的制作方法及磁性电子器件.pdf

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本发明提供一种磁性电子器件的制作方法及磁性电子器件，属于磁性电子器件技术领域。该制作方法包括：在半导体衬底上，沉积第一膜堆；制作第一磁隧道结MTJ；沉积包裹第一磁隧道结MTJ的介质层，形成待磨磁性器件；对待磨磁性器件进行研磨，直至介质层被研磨至第一磁隧道结MTJ的第一预设位置，介质层被研磨的速率大于第一磁隧道结MTJ被研磨的速率；在露出的介质层上制作向外接电的通孔，并形成最终的磁性电子器件。本发明实施例基于介质层被研磨的速率大于第一磁隧道结MTJ被研磨的速率，利用CMP工艺，对介质层和第一磁隧道

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117500361A

(43)申请公布日2024.02.02

(21)申请号202311491138.1

(22)申请日2023.11.10

(71)申请人致真存储（北京）科技有限公司

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