应用于多晶硅熔丝结构的芯片ATE测试的成测修调方法.pdfVIP

应用于多晶硅熔丝结构的芯片ATE测试的成测修调方法.pdf

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本发明涉及一种应用于多晶硅熔丝结构的芯片ATE测试的成测修调方法,属于芯片测试技术领域。采用了本发明的成测修调方法,通过测试芯片参数初始值;确定参数初始值与参数目标值之间的变化关系;进而计算芯片修调需要的档位组合,形成对应的修调信息;再输入修调信息,完成修调。进一步的在修调后还可以读修调结果判断是否修调成功,并进行二次修调。且本发明可根据不同的应用情况,选用VI源循坏穷举法、AWG数组法或DIO数字编程法实现。通过本发明的成测修调方法能在芯片ATE测试过程中将芯片的电压、电流、频率等参数修调至更

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117491841A

(43)申请公布日2024.02.02

(21)申请号202311441281.X

(22)申请日2023.10.31

(71)申请人南京微盟电子有限公司

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